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SiC attach tool
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2000HV 이상의 고경도와 170W/m⋅K 이상의 높은 열전도율을 보유한 소결 SiC 소재를 사용합니다.
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특징: 2000HV 이상의 고경도와 170W/m⋅K이상의 높은 열전도율을 보유한 소결 SiC 소재를 사용합니다.
용도: HBM(고대역폭 메모리) 공정 내 DRAM 칩 적층 시 고성능 TCB 히터를 보호하고 신속한 열전달을 수행합니다.
역량: 디자인에 따라 월 100~200개 규모의 생산 능력을 갖추고 있습니다.
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2000HV 이상의 고경도와 170W/m⋅K 이상의 높은 열전도율을 보유한 소결 SiC 소재를 사용합니다.
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특징: 2000HV 이상의 고경도와 170W/m⋅K이상의 높은 열전도율을 보유한 소결 SiC 소재를 사용합니다.
용도: HBM(고대역폭 메모리) 공정 내 DRAM 칩 적층 시 고성능 TCB 히터를 보호하고 신속한 열전달을 수행합니다.
역량: 디자인에 따라 월 100~200개 규모의 생산 능력을 갖추고 있습니다.
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특징: 2000HV 이상의 고경도와 170W/m⋅K이상의 높은 열전도율을 보유한 소결 SiC 소재를 사용합니다.
용도: HBM(고대역폭 메모리) 공정 내 DRAM 칩 적층 시 고성능 TCB 히터를 보호하고 신속한 열전달을 수행합니다.
역량: 디자인에 따라 월 100~200개 규모의 생산 능력을 갖추고 있습니다.
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